SKiM® IGBT Six Pack Modules

Type VCES ICN1)   THS VCEsat @ 3) ICN Tj= 25 °C typ. Ptot @ THS1) 25 °C Rthjh1) IGBT RCC'+EE' Modul resistance terminals-chips @ THS= 25°C SKiM V A     °C V W °C/W m Ohm   600 V (preliminary)  SKiM 300GD 063D 600 220     70 1,6 625 0,2 1,35 4  SKiM 350GD 063DM 600 280     70 1,6 926 0,135 1,35 4  SKiM 400GD 063 D 600 315     70 1,5 960 0,13 0,9 5   1200 V Trench IGBT (preliminary)  SKiM 300GD 126D * 1200 200     70 1,7 625 0,2 1,15 4  SKiM 400GD 126DM * 1200 255     70 1,7 926 0,135 1,35 4  SKiM 450GD 126D * 1200 330     70 1,7 960 0,13 0,9 5  SKiM 601GD 126DM * 1200 370     70 1,7 1390 0,09 1,15 5   1200 V SPT - IGBT (preliminary)  SKiM 200GD 128D* 1200 140     70 2,0 520 0,24 1,15 4  SKiM 250GD 128D 1200 180     70 2,0 625 0,20 1,15 4  SKiM 350GD 128DM 1200 230     70 2,0 925 0,135 1,35 4  SKiM 400GD 128D 1200 270     70 2,0 960 0,13 0,9 5  SKiM 500GD 128DM 1200 340     70 2,0 1390 0,09 1,15 5   1700 V SPT - IGBT (preliminary)  SKiM 170GD 178D 2) 1700 135     70 2,4 540 0,23 1,15 4  SKiM 250GD 178D 2) 1700 195     70 2,4 780 0,16 0,9 5

* new All data apply to one single IGBT switch Data on request Measured at chip level Equation for temperature dependence: R( T ) = R ref[ 1 + A * ( T-T ref) + B* ( T-T ref )2] R ref= 1 000 Ohm, T ref= 25 °C, A = 7,64 * 10 -3 °C -1, B = 1,73 * 10 -5 °C -2

Circuits SKiM 4 SKiM 5

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